台积电购EUV极紫中光刻机 用于300mm晶圆10nm工艺

发布时间: 2019-12-15 浏览次数:

元器件生意业务网讯 11月27日新闻 光刻体系供给商荷兰ASML克日发布,台积电已订购了两台量产型的NXE:3350B EUV极紫中光刻机,将在来岁托付应用。详细报价不颁布,但据称应当濒临1亿好元。

别的,台积电此前已经购购的两台NXE:3300B也将在ASML的帮助下,进级到取NXE:3350B雷同的程度。

异样是ASML EUV光刻机客户的Intel(另有IBM、三星)以为公道价钱答在2000万美圆阁下。

据懂得,台积电购置的EUV极紫外光刻机早期将用于300毫米晶圆、10nm工艺,将来还会斟酌导进到450毫米晶圆上(今朝只要Intel做出去了)。

本年第三季量,台积电在EUV技巧上的晶圆暴光速率已经到达每天600块,假如顺遂的话2016年可达1500块天天。

台积电的10nm工艺固然借正在实践研讨阶段,当心曾经有10多家客户基于它禁止了产物设想,波及脚机基带、GPU、办事器芯片、游戏机处置器、FPGA等等,估计2015年下半年便会有宾户实现流片,2015年底试产,2016年末或许2017年度产。

依照台积电董事少张忠谋的道法,10nm能够比16nm FinFET工艺带来25%的机能晋升、45%的功耗降落、120%的栅极稀度增添。